微电子技术专业英语电子版

A. 为看懂英文版pdf,求一本关于电子电路的英语书，主要学习电子的专业英语！！！

<High speed digital design>中英文的都有

B. 本人学电子的，哪位兄弟能推荐一本好的电子技术专业英语书

电子技术专业英语(第3版)(平装)
作 者：朱一纶
出版社：电子工业出版社
出版日期：2009-04-01

电子技术专业英语
作者：孙萍 主编

ISBN(书号)：7-111-08308-3

丛书名：21世纪高职高专系列教材
出版日期：2001-05
版次：1-10
开本：B5
字数：235 千字

电子技术专业英语
北京理工大学出版社

建议你用最好选用对接专业选择相关的书籍，这样的学起来比较简单，因为电子技术这个名词很广泛，涉及的专业很多。

C. 帮翻译一下这段微电子学专业英语，谢谢。好的话加分。

Because it depends on some process characteristics,it is difficult to predict accurately the threshold votage of a MOSFET.
因为它取决于一些工艺特点,很难准确预测阈值电压的场效应晶体管。

In practice,the threshold voltage is measured for a sample device proced in a particular fabrication process.
在实际中,阈值电压的测量装置产生一个样本为在一个特定的制造过程。

The threshold voltage can be measured by comparing the experimental current-voltage characteristics with those predicted by theory.
门槛电压测量可以通过对比实验伏安特性与理论所预测的。

We begin above threshold but below saturation,the drain current has the form(公式略）where,from Equation(6.27)(公式略)Equation(7.1)is a model including the effect of the transverse field and longitudinal field(in velocity saturation).
我们开始上面阈值,但低于饱和度、漏极电流具有形式(公式略)到哪里,从方程(6.27)(公式略)方程(7.1)是一个模型,其中包括效果的横向场和纵向电场(速度饱和)。

For Vds small enough that the saturation velocity can be neglected and Equation(7.1)can be approximated(公式略)
Vds的小到可以忽略饱和速度方程(7.1),可以将其近似(公式略)

D. 微电子专业英语翻译

这句没有彻底搞懂，其他都ok ：The die-to-die via pitch is very small and provides the possibility of arranging digital functional unit blocks across multiple die at a very fine level of granularity

die-to-die后面省略了什么？die-to-die interconnect ？

via pitch 指的是什么？via是介词，不是形容词吧？
digital functional unit blocks 是不是指的 控制电路而非运算电路？ 比如时钟系统什么的？
at a very fine level of granularity 是不是小制程的意思？

3D集成电路封装技术属于新兴科技，如图10.1所示，它是几个互联芯片在垂直方向上的堆栈/堆叠。芯片间的跨距非常微小，使得芯片之间的数字功能单元能够集成进来。这样的好处是缩短了连接线总长，从而降低线路延迟、能耗更低。
3d芯片由于采用了短程、快速的垂直连线，能够很好的解决此前因为冗长、慢速的全局连线所带来的线路延迟问题。3d集成和封装技术发展势头很猛，已成为半导体业界的宠儿。几大芯片公司争相在其商用领域的产品上采用3d封装工艺。
单个微架构模块在电路中的位置能直接影响到芯片的很多性能。第一，芯片布局（各模块的几何架构及互联线路？？）直接影响芯片的运算性能[周期指令量(IPC)]，因为要获得更高的目标时钟频率，就要在不同模块间架设互联线路。这会提高也可能降低线路延迟。 第二，散热和耗散问题和芯片布局息息相关。这是因为单个微架构模块的温度并不只是取决于自身的发热量，也取决于其周围的模块单元对其造成的影响。
此外，每个晶体管的耗散功率会随着温度的升高而几何增长。第三，芯片布局影响到总线和时钟分配网络的动态能耗。整合到全局互联电路中的触发器的数量也会对时钟系统的能耗产生影响。尽管如此，性能和发热量总是冲突的，各个发热元件的距离越近，性能会提升的同时对温度控制的要求就更高。不同的应用会有不同的设计局限，因此我们需要一个面向目标的，自动的芯片布局规划器，允许用户根据自身的设计需求，找到有效的折衷方案。本节会讨论以下相关议题。

E. 要找一本有关于微电子或集成电路的书（英文版或中英文版）。

一、解答：

（美国）耶格（Richard C.Jaeger） （美国）布莱洛克（Travis N.Blalock）的《微电子电路设计》

二、拓展：

1、图书信息：

出版社: 电子工业出版社; 第1版 (2011年1月1日)

外文书名: Microelectronic Circuit Design

丛书名: 国外电子与通信教材系列

平装: 1334页

正文语种: 英语

开本: 16

ISBN: 9787121127120, 7121127121

条形码: 9787121127120

尺寸: 25.8 x 18.4 x 4.6 cm

重量: 2 Kg

2、作者简介：

作者：（美国）耶格（Richard C.Jaeger） （美国）布莱洛克（Travis N.Blalock）

3、内容简介：

第一部分介绍固态电子学与器件，讨论了电子学的发展与电路分析方法和微电子器件的工作原理、I-V特性及SPICE模型等。第二部分为数字电路，包括数字电路的基本概念和CMOS电路、存储电路、ECL与TTL等双极型逻辑电路以及BiCMOS电路。第三部分为模拟电路，以理想运算放大器和SPICE仿真为基础介绍了不同结构运算放大器的相关特性、小信号模型、具体分析方法和集成设计技术，最后讨论了放大器的频率响应、反馈和振荡器等问题。通过学习《微电子电路设计(第4版)(英文版)》可以了解现代微电子电路设计，包括模拟与数字，分立与集成，了解内部结构也有利于系统设计中对集成电路的适当选择。读者对象：《微电子电路设计(第4版)(英文版)》适用作电子与信息类各专业本科生基础课的双语教材或参考书，也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。

4、目录

Preface xx

PART ONE

SOLID STATE ELECTRONIC AND DEVICES 1

CHAPTER 1 INTRODUCTION TO ELECTRONICS 3

1.1 A Brief History of Electronics:

From Vacuum Tubes to Giga-Scale

Integration 5

1.2 Classification of Electronic Signals 8

1.2.1 Digital Signals 9

1.2.2 Analog Signals 9

1.2.3 A/D and D/A Converters-Bridging the Analog and Digital Domains 10

1.3 Notational Conventions 12

1.4 Problem-Solving Approach 13

1.5 Important Concepts from Circuit Theory 15

1.5.1 Voltage and Current Division 15

1.5.2 Th′

evenin and Norton Circuit Representations 16

1.6 Frequency Spectrum of Electronic

Signals 21

1.7 Amplifiers 22

1.7.1 Ideal Operational Amplifiers 23

1.7.2 Amplifier Frequency Response 25

1.8 Element Variations in Circuit Design 26

1.8.1 Mathematical Modeling of Tolerances 26

1.8.2 Worst-Case Analysis 27

1.8.3 Monte Carlo Analysis 29

1.8.4 Temperature Coefficients 32

1.9 Numeric Precision 34

Summary 34

Key Terms 35

References 36

Additional Reading 36

Problems 37

CHAPTER 2 SOLID-STATE ELECTRONICS 42

2.1 Solid-State Electronic Materials 44

2.2 Covalent Bond Model 45

2.3 Drift Currents and Mobility in

Semiconctors 48

2.3.1 Drift Currents 48

2.3.2 Mobility 49

2.3.3 Velocity Saturation 49

2.4 Resistivity of Intrinsic Silicon 50

2.5 Impurities in Semiconctors 51

2.5.1 Donor Impurities in Silicon 52

2.5.2 Acceptor Impurities in Silicon 52

2.6 Electron and Hole Concentrations in Doped

Semiconctors 52

2.6.1 n-Type Material （ND >NA ） 53

2.6.2 p-Type Material （NA >ND ） 54

2.7 Mobility and Resistivity in Doped

Semiconctors 55

2.8 Diffusion Currents 59

2.9 Total Current 60

2.10 Energy Band Model 61

2.10.1 Electron-Hole Pair Generation in an Intrinsic Semiconctor 61

2.10.2 Energy Band Model for a Doped Semiconctor 62

2.10.3 Compensated Semiconctors 62

2.11 Overview of Integrated Circuit

……

Fabrication 64

Summary 67

Key Terms 68

Reference 69

Additional Reading 69

Important Equations 69

Problems 70

F. 求微电子专业英语高手!

我只会翻译,可以加你不?

G. 急！微电子技术专业英语翻译！

此翻译请楼主审阅是否专业。
since most of the recombination current occurs near where R = Rmax,the barrier for electrons and holes for recombination current is (Vbi-Va)/2. This is half the barrier for diffusion current of （Vbi - Va).
由于复合电流大多发生在靠近R＝Rmax的地方，所以电子和空穴对复合电流的屏障就是(Vbi-Va)/2. 这是扩散电流(Vbi-Va)的一半。.
Let us consider recombination and generation under reverse bias.The energy band diagram is shown in Fig.3.18.让我们来考虑一下在反偏压下的复合和发生。能带图示于图3.18.We have discussed that under reverse bias the transition region widens with the significant opportunities for both generation and recombination.我们已经讨论了，在反偏压下，过渡区随着发生和复合的明显机会而展宽。Under reverse bias n and p are both small in most of the transition region,the recombination can be ignored,since there are few electrons to recombine and few holes with which to recombine. 在反偏压下，n和p在大多数过渡区都很小，复合就可以忽略，因为几乎不存在电子来复合，也几乎没有空穴与它们来复合。

H. 《电子技术专业英语教程》

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像这样的书一般的书店的话是不会卖的，毕竟买的人少！！

可以去你们苏州的新华书店看看！！！个人建议去网上买！！很方便的

要给我分的~~~

I. 谁知道邱成军参与主编的微电子技术专业英语最后一章的翻译哪有

这个真不知道