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Ⅰ 麻烦帮忙翻译一个文章，谢谢！！

IEEE电子器件快报，音量。 EDL的- 7，没有。四，1986年4月259
VIN的测试tructure略带测量电阻率的具体联系
抽象的垂直开尔文测试结构，可用于
衡量一个真正的金属化体系的具体接触电阻率，是
提出和研究。对于此测试结构，驱动电流流
“垂直”，从而片电阻和电流拥挤效应
消除，真正的具体接触电阻率测量
成为可能。实验表明，该工程的测试结构给出了一个
更多的线性关系电阻与接触面积比
传统的六终端测试结构。
一，引言
PECIFIC接触电阻率的个人电脑是最重要的一
参数学习的界面性能
金属化体系。许多测试结构[1] - [4]已
提出来衡量其价值。但是，由于一些固有
如薄膜电阻的寄生因素的扩散
层和横向（横向和目前crowdings
垂直），“真正”的PC值是非常困难的，如果不
不可能的，要测量[5] - [7]。这主要的原因
困难来自于一个事实，即对所有这些建议的测试
结构中，电流流“横向”在酒吧弥漫
而“垂直”接触电阻要
决定。
在信中，一个“垂直”开尔文测试结构来衡量
“真实”，提出了具体的接触电阻。对于这
测试结构，驱动电流流“纵向”从
对金属基体接触垫接触。这
消除了电流，在拥挤的影响固有
结构水平的测试类型，并使得决心
在“真”的具体接触电阻可能。这
测试结构可以集成在6终端测试
结构[4]比较测量结果。
11。测试结构
断面ofthe测试结构如图所示。 1（1）
随着它的俯视图。 1（b）项。是的驱动电流I
从垫一对基板和被迫的电压V
2和3之间垫感觉到沿植入栏。该
垂直电流限制是由一个孤立的pn结。
对于这种结构，可以看出，目前流动
只有通过纵向联络窗口：因此
在接触区域的电流分布均匀提供
该接触区是冶金制服。的接触
投稿日期1985年9月18日，经修订的1985年12月2日