期刊ICF

㈠ 大神們幫忙做一下下面的題目（解題過程發至 [email protected] )

收稿日期：!""! # $" # $%&
基金項目：廣東省自然科學基金資助項目（』%"!(』，』%")*+，
""$!*』）,
光通信
多模光纖出射光束光強分布的研究
齊曉玲，王福娟，蔡志崗，江紹基
（中山大學光電材料與技術國家重點實驗室，廣東廣州!"#$%!）
摘要： 採用橫向偏移法測量以-./ 為激勵源的多模光纖纖芯截面光強分布和出射光束的
傳輸特性，將光強分布從近距光強分布和遠距光強分布兩方面進行討論，比較分析了理論曲線與實
驗曲線，指出-./ 作為光源的多模光纖光強分布非常有利於光耦合，並可通過測量多模光纖光強
分布得到光纖數值孔徑的大小。
關鍵詞： 光耦合；光強分布；數值孔徑
中圖分類號： 01!2) 文獻標識碼： 3 文章編號： $""$ # 2%+%（!"")）"! # "$$( # "*
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$ 引言
隨著光纖通信技術的發展和密集波分復用
（/>/W）系統的應用，全光交換成為新一代全光網
的核心技術。光耦合包括光纖之間、光纖與光源之
間、光纖與探測器之間的耦合，是構成全光交換的重
要技術［$］。研究光纖出射光束的光強分布對有效光
耦合，即耦合對准時間短、耦合損耗小，起關鍵性作
用。
橫向偏移法［!］是一種用於探測光纖出射光束光
強分布的方法。目前，廣泛使用的遠場法［)］
（ 0P8<JM7KKLN @8P:O7L;N ）和發射近場測量法［*］
（0P8<JM7KKLN 1L8P:O7L;N）都是基於橫向偏移法的工作
原理。前者是用於測量光纖數值孔徑的大小，後者
是最直接，最簡單測量模場直徑的方法。
本文以提供有效光耦合的理論依據為目的，以
-./ 作為激勵源，採用橫向偏移法研究多模光纖芯
截面的光強分布和出射光束的傳輸特性。首先進行
了理論分析，並採用此方法測量了多模光纖出射光
束的光強分布，最後對實驗結果進行了詳細的分析，
並從近距（探測光纖與被探測光纖間的距離在2"
!M 內）和遠距（探測光纖與被探測光纖間的距離在
$)"!M 以外）對多模光纖出射光束的光強分布進行
討論。
! 理論
多模光纖中存在模式耦合和模式轉換，使各模
式所攜帶的能量比例隨光纖長度而變，直到達平衡
長度為止。只有達到平衡長度後光纖端面才有穩定
的功率分布，從而有穩定的耦合損耗［2］。
$B" 穩態功率分布與激勵條件
$$( 萬方數據
激勵條件主要是指耦合到光纖中的入射光束的
數值孔徑和光斑大小。有效的耦合要求入射光束的
數值孔徑和光斑直徑與光纖的數值孔徑和芯徑相匹
配，即等於或大於光纖的數值孔徑和芯徑，從而使光
纖中的所有模式充分激勵，易於實現穩態功率分布。
!"# 的譜線寬，可以激勵光纖中的所有傳輸模式，使
光纖易於達到穩態功率分布。
實現穩態功率分布的裝置主要是擾模器，其作
用是將初期的輻射模式或某些不穩定的模式經過模
式耦合轉變成穩定的導行模，或者由輻射而消失，最
後形成模式的穩態分布［$］。
!"! 多模光纖芯截面的光強分布
假設採用芯徑相同的階躍多模光纖分別作為探
測光纖和被探測光纖，認為光纖端面有穩定的功率
分布，且輸入、輸出光纖芯子上的光功率都是均勻分
布的。兩相同的多模階躍光纖，軸線橫向位移為!，
使兩耦合光纖的端面錯開，如圖% 所示。
圖% 橫向偏移! 的兩耦合光纖截面圖
耦合損耗由兩光纖端面的不重合引起。所以光
纖耦合效率! 將由輸入光纖面積"&
和輸出光纖的
有效接收面積"』 （圖% 中陰影部分）決定［(］：
"& # !$)
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!"# 多模光纖遠距的光強分布
在穩態功率分布條件下測量光纖的遠距強度分
布，比較接近高斯分布（見後面實驗測量曲線圖(）。
/ 實驗
實驗中，我們採用橫向偏移法來探測多模光纖
出射光束的光強分布，即使用兩根光纖對接耦合，測
量其耦合效率（或稱功率傳輸函數）與光纖橫向偏移
量的關系，並從測量曲線上確定光強功率分布。
實驗採用參數相同的兩根多模光纖分別作為探
測光纖與被探測光纖對接耦合，測量其耦合效率。
選用多模光纖作為探測光纖，這是由於其相對於單
模光纖具有好的信噪比且數值孔徑大［0］，因此，能將
盡可能多的光耦合到光纖中，使得光功率計讀取的
數據能更真實的反映光纖出射光束的實際光強分
布。實驗所用多模光纖為漸變型多模光纖，數值孔
徑為12)3( 4 121%(，芯徑為$)2("5。
首先，用光纖撥線鉗分別把兩光纖6%，6) 一側
端面的光纖套管和緩沖塗覆層撥去，用酒精將裸光
纖表面擦乾凈，後用光纖切割刀切端面，並用)11 倍
的光學顯微鏡觀察，可得到清潔、平整、垂直光纖軸
的光纖端面。然後把6% 和6) 光纖分別繞過擾模器
』，將6% 的裸端面一側固定在三維調節架&%（精度
為%1"5），另一端通過光纖活動連接頭與光源相
聯。為了便於得到穩態功率分布，我們採用!"# 光
源，其波長為% ((1 75；將6) 的裸端面固定在二維
調節架&)（一維精度是%1"5，另一維可調角度，精
度為%8），另一端接光功率計9，如圖)。
圖) 實驗測試裝置圖
假定光纖軸向為& 軸，零點為6% 裸端面處，』
軸為通過光纖芯徑的一個方向。!"# 發出的光入射
到6%，調節6)，使光纖6% 和6) 在軸向上對准，光束
從6% 裸端面出射耦合到6) 中，最後進入9。在不
同& 點，沿』 方向移動6% 端面，讀取一系列數據，為
了排除光功率計讀數的不穩定性，我們取每個測量
點多個讀數的平均，最後通過記錄的光功率數據所
作的曲線可確定光纖芯截面的光強分布和光束的傳
輸特性。
0 討論
我們把!"# 光源激發的多模光纖出射光束的
光強分布分為近距和遠距的光強分布來分析。
$"% 近距光強分布
圖/（*）:（;）分別為探測光纖端面與被探測光
纖端面距離，即& 分別為1，%1，/1，(1"5 所對應的
關系曲線，其中橫坐標表示沿』 方向的橫向偏移與
%%< 萬方數據
纖芯半徑的比值! " #，縱坐標表示耦合效率!。由
圖! 可以得出：
（"）隨著探測光纖端面與被探測光纖端面之間
的距離增大，光纖最大耦合效率總的趨勢減小，但是
$ 在#$!% 以內減少的非常緩慢，耦合效率有微小
的起伏，但仍在實驗誤差范圍以內（見表"），因此，
光耦合效率受兩光纖端面距離影響較小，插入損耗
標准一定時，可以主要考慮其它引起損耗的因素，而
對兩光纖距離的要求可以適當降低。
表! 不同! 處的最大耦合效率
$ &!% $ "$ !$ #$
! $』($" )! $』*+, *- $』** $』*-
插入損耗& ./ $』$)# $』$#( $』$#- $』$--
（,）大部分能量集中在多模光纖的纖芯直徑
-,』#!% 內，也就是圖中所畫黑色方框（寬-,』 #!%，
長$』(!%）內。這是由於光功率主要集中在被探測
光纖芯徑中傳輸，所以探測到的光功率主要集中在
-,』#!% 的范圍內。
（!）光耦合效率在芯徑范圍內存在一個平頂現
象。實驗中為了得到穩定功率分布，我們採用了
012 光源，從而盡可能的激發起多模光纖可存在的
所有模式，光纖出射光束的光強分布是各階模式疊
加的結果，可以認為光功率在纖芯截面上是均勻分
布的。因此，在纖芯截面上耦合效率出現平頂現象。
為了進行對比，我們還採用了02 作為激勵源進行
了相同的實驗，實驗結果如圖) 所示。02 光源只能
激發出多模光纖中的低階模式，光功率主要集中在
纖芯軸附近，其出射光強分布近似於高斯分布，而不
存在平頂。由此可以得出：在城域網或區域網中用
多模光纖傳輸信息時，使用012 光源非常有利於光
纖間的耦合。
（)）圖!（3）中虛線是根據公式（"）畫出的理論
曲線。可以看出，實驗曲線和理論曲線有相當大的
差別。一方面，實驗曲線出現平頂現象，理論曲線沒
有。另一方面，理論曲線比實驗曲線的耦合效率減
少的快。這是因為雖然我們在實驗中為了盡量滿足
理論推導的假設條件———光纖芯截面光強均勻分
布，採用了012 光源和擾模器，但實驗中被探測多
模光纖的光強不僅分布在纖芯中，還進入到了光纖
包層中。此外，採用多模光纖探測不能簡單地認為
是以點探測，而是以探測光纖端面來探測，功率計讀
（3） $ 4 $!%
（5） $ 4 $!%
（6） $ 4 $!%
（.） $ 4 #$!%
圖! 橫向偏移量和耦合效率的關系
圖) 02 作為激勵源的光強分布
""( 萬方數據
取的數據實際上是探測光纖端面接受到數值孔徑范
圍內被探測光纖的纖芯和包層出射光束的總功率。
因此，實驗曲線出現了平頂現象。導致實驗曲線中
耦合效率較之理論曲線減少的慢也是基於上述原
因。理論公式中沒有考慮光纖包層可能傳輸的光功
率對耦合的影響。可見，採用簡單的幾何光學分析
多模光纖光強分布是不夠的。
!"# 遠距光強分布
圖!（"）#（$）分別為探測光纖端面與被探測光
纖端面距離! 分別為%&』，&』』，% 』』』，( 』』』!) 所對
應的關系曲線，其中橫坐標表示沿" 方向的橫向偏
移，縱坐標表示耦合功率#。由圖! 可以得出：（%）
圖中各點代表實驗點，曲線是高斯擬合曲線。可以
看出實驗曲線和高斯曲線擬合的非常好，已在圖中
標出。說明多模光纖出射光束的遠距光強分布呈高
斯分布。（*）從各圖橫坐標的范圍可以看出，隨著探
測光纖端面與被探測光纖端面距離增大，可測得的橫
向偏移越大，說明出射光束是不斷發散的，見圖+。
（"） ! , %&』!)
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（.） ! , % 』』』!)
（$） ! , ( 』』』!)
圖! 距離被探測光纖端面不同點的光強分布
圖+ 歸一化光強#/
分布
（&）根據圖! 求出探測光纖端面與被探測光纖
端面不同距離的功率半高寬，並作圖（見圖(）。可
以通過光纖出射光束遠距%&』 # &』』!) 的光強分布
求出光纖的數值孔徑為』0 *+，這與已知的數值孔徑
』0*(! 1 』0』%! 比較吻合。
圖( 距被探測光纖不同距離的功率半高寬
由以上分析可知，近距分布就是指探測光纖端
面與被探測光纖端面距離約在!』!) 以內的光強分
布。其分布在芯徑+*0!!) 內約!』!) 左右呈均勻
分布，且耦合效率減少緩慢，便於進行光耦合。遠距
分布指探測光纖端面與被探測光纖端面距離約在
%&』!) 以外的光強分布，呈高斯分布，根據其光強
分布的實驗曲線可求出光纖的數值孔徑。
（下轉第%&』 頁）
%*』 萬方數據
! 結論
各向異性刻蝕是"#"$ 工藝中非常重要的一
環。%"&』 由於具有刻蝕速度快、刻蝕的晶向依賴
性好、毒性低、易控制，以及與(")$ 工藝兼容等優
點而成為"#"$ 濕法刻蝕工藝中常用的刻蝕劑。為
了解決%"&』 在刻蝕硅的過程中刻蝕表面易形成小
丘的問題，通過採用在底質量百分比的%"&』 溶液
中添加硅酸和過硫酸銨的方法，得到了較高的刻蝕
速度和光滑的刻蝕表面。從實驗中也可以發現，要
獲得理想的刻蝕效果，刻蝕液配方和刻蝕流程的選
擇是非常重要的因素。
致謝：實驗中得到了中國電子科技集團公司第
** 研究所的大力支持與合作，在此致以真誠的謝
意。
參考文獻：
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+BB>，;*：!+ N !?,
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7I 5F6J@8H UF@GC2D 7J 5CGC87I 9C867526F82F6H5 H281HQ CI
5@2F6@2HQ %"&』T 57GF2C7I5 ［&］, #VP)$#W$)P$ XYYY，%1H
+;21 #F673H@I (7IJH6HI8H 7I $7GCQZ$2@2H %6@I5QF8H65［(］,
WH21H6G@IQ5，$H32H9OH6 +> N +!，+BBB，;[B N ;B>,
［! ］ $FGGC\@I R， )JJ76Q - T， &]GFJC " #, %H26@Z9H21DG
@997ICF9 1DQ67KCQH（ %"&』） 36HJH6HI2C@G H281CI= J76
CIJ6@6HQ 3CKHG @66@D5［ &］, %H81IC8@G /78F9HI2 ;<B?，
L@IF@6D，><<<,
作者簡介：
羅元（+B?> N ），+BB; 年畢業於浙江大學，+BBM
年在重慶郵電學院獲工學碩士學位，現為重慶大學
光電工程學院博士生，研究方向為光纖通信及
"#"$ 光通信器件，已在國內外刊物和國際學術會
議上發表論文近+< 篇。
!"#$%&：
!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
9HGF7DF@I^>M;, IH2
（上接第+>< 頁）
! 結論
我們採用橫向偏移法測量了多模光纖出射光束
的光強分布，並從近距光強分布和遠距光強分布兩
部分進行了分析。0#/ 可以激發出多模光纖的所有
模式，光功率在纖芯截面上呈均勻分布，隨著探測光
纖與被探測光纖端面的距離增大，光纖出射光束在
空氣中傳輸超過+;<!9，其光強分布呈高斯分布。
從實驗中了解0#/ 作為激勵的多模光纖近距光強
分布，可知光耦合中存在微小橫向偏移和間隙時對
耦合效率影響不大，有利於縮短耦合對准時間，並得
到理想的耦合效率；由遠距光強分布圖可求出多模
光纖的數值孔徑。
參考文獻：
［+］ RH2H6 _ & , "C867 Z 732C8@G JCOH6 54C281 J76 @ G@6=H
IF9OH6 7J CI2H687IIH825 F5CI= @ QHJ769@OGH 9C667［6 L］, Y###
R1727I, %H81I7G, 0H22, ，><<>，+*（;）：;<+ N ;<;,
［>］ "@68F5H /, R6CI8C3GH5 7J 732C8@G JCOH6 9H@5F6H9HI25［"］,
WH4 _76]：&8@QH9C8 R6H55，+B[+,
［; ］ R1CGC3Z81@IQD R, &I 732C8@G JCOH6 5HI576 J76 OC7JCG9
9H@5F6H9HI2 F5CI= CI2HI5C2D 97QFG@2C7I @IQ C9@=H @I@GD5C5
［L］, Y### L, $HGH82HQ %73C85 CI 『F@I2F9 #GH8267IC85，
><<<，M（!）：?M* N ??>,
［*］ aC5CI W ， R@55D P ， RH6ID - , )32C8@G JCOH6
81@6@82H6Cb@2C7I OD 5C9FG2@IH7F5 9H@5F6H9HI2 7J 21H
26@I59C22HQ @IQ 6HJ6@82HQ IH@6 JCHGQ［ L ］, L, 0C=124@\H
%H81I7G, ，+BB;，（+）：[?! N [[;,
［!］ %5F81CD@ 』 ， W@]@=79H 』 , /7FOGH H88HI26C8
87IIH82765 J76 732C8@G JCOH65 ［L］, &33G, )32, ，+B??，+M（!）：
+ ;>; N + ;;+,
［M］ 彭吉虎，吳伯瑜, 光纖技術及應用［"］, 北京：北京理
工大學出版社，+BB!, !B N M>,
作者簡介：
齊曉玲（+B?> N ），女，山西太原人，+BBM 年畢業
於南京郵電學院無線電工程系，><<< 年開始攻讀碩
士學位，主要從事信息光子學的研究。
!"#$%&：UKGOHGG^5CI@, 879
+;< 萬方數據
多模光纖出射光束光強分布的研究
作者： 齊曉玲， 王福娟， 蔡志崗， 江紹基
作者單位： 中山大學,光電材料與技術國家重點實驗室,廣東,廣州,510275
刊名：
半導體光電
英文刊名： SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
年，卷(期)： 2003，24(2)
引用次數： 12次
參考文獻(6條)
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相似文獻(8條)
1.學位論文齊曉玲 光通信元器件中光耦合的研究 2003
該文對光通信元器件中的光耦合進行了深入的研究.主要內容包括:首先,對光耦合理論的研究.該文從光線理論和電磁波理論出發,綜述了光纖耦合的
插入損耗、傳光特性的理論,深入研究了普遍適用於光通信中計算耦合效率的理論公式.其次,進行了光纖間耦合實驗.分析了多模光纖出射光束的光強分
布,研究了存在軸向偏移、橫向偏移或其他因素時對光耦合的影響.最後,在深入討論光纖間耦合實驗結果和理論分析光纖與波導間耦合的基礎上,綜述了
光纖端面修飾的各種方法,理論研究了SMF+GIF光纖對模場半徑的改變,並與實驗結果進行了比較,為更好的得到不同光元器件的耦合進行了有意義的嘗試.
2.期刊論文程湘.王宇華.段發階.葉聲華.CHENG Xiang.WANG Yu-hua.DUAN Fa-jie.YE Sheng-hua 光纖間光的耦合
研究-光電子·激光2005,16(4)
使用簡化為一維積分的數值方法計算分析了光纖耦合效率和接收光功率,為應用時的設計計算和測量數據的分析計算提供了一個准確方法
.62.5/125多模光纖在高斯光強分布下的數值計算結果與實驗測量結果的一致性表明,高斯光束可以較好地表示光纖光強的分布.對光纖耦合系數和近場范
圍內的光纖接收光強的測量數據的分析必須使用准確的方法計算,近似方法存在較大的誤差.
3.學位論文秦華 固體激光介質對泵浦光的吸收理論與Cr<'4+>：YAG調QNd：YVO<,4>激光器實驗及耦合系統分析
2005
激光二極體泵浦代替燈泵浦是固態激光器發展的歷史選擇，一是因為激光二極體泵浦的固體激光器比燈泵浦的固體激光器有更高的效率和更好的頻
率穩定性且線寬變窄；二是相對於直接使用激光二激管本身，激光二極體泵浦的固體激光器線寬窄、峰值功率高、亮度高等優點。 本文從固體激
光器的發展歷史出發，闡述了二極體泵浦的全固化激光器在激光器領域中重要地位的形成及發展趨勢，對其存在的問題及解決這些問題已有的做法也作
了簡單的總結。本文還在如下幾個方面作了新探索。 1.激光晶體對泵浦光的吸收亦即泵浦光在激光介質中的變化。 迄今為止，人們一直使
用比爾公式(I=I0e-βL，β為吸收系數，L為光在激光介質中的傳輸距離，I0為入射光強，I為L處光強)來計算固體激光介質中抽運光強度的變化。但是
本文認為比爾公式存在一個應用范圍，即入射光強I0較小時此公式才適用。本文從激光介質中能量傳輸和能級躍遷速率方程出發，在一定的近似條件下
，給出了抽運光強度變化的解析解。結果表明，在一定傳輸距離范圍內，隨著抽運光能量密度的增大，增益介質對抽運光的吸收規律逐漸由指數函數變
為近似線性函數。把這個理論應用於具體激光晶體，給出了泵浦光在激光晶體中隨傳輸距離指數變化、線性變化范圍以及介於這兩者之間的泵浦光的變
化規律。論文第二章介紹了這方面的工作。 2.全固化激光器中激光晶體與泵浦光的耦合尤其是大尺寸激光二極體陣列的光耦合是高效全固化激光
器的關鍵問題。本文根據激光二極體的發光特性，分析了由微柱透鏡陣列和透鏡導管組成的耦合系統。較之前人的分析，本文給出了詳細的數學處理過
程，結合此數學處理方法用Matlab編制了一整套程序，包括模擬光線在耦合器件中的傳輸過程程序、光束通過耦合器件後光強在垂直光傳輸方向上光強
分布程序及光耦合效率程序。其中對於透鏡導管的模擬結果得到了與前人不同的結論，即光束經過透鏡導管後隨著離透鏡導管出口越來越遠光斑分裂。
而這之前一直認為透鏡導管出口後的光強是准高斯分布。本論

㈡ 楊文彬的學術論文

1.Wenbin Yang, Yanyan Fu, An Xia, Kai Zhang, Zhi Wu. Microwave absorption property of Ni-Co-Fe-coated flake graphite prepared by electroless plating. J Alloys Compd, 2012, 518: 6-10.
2.Wenbin YANG, Kai ZHANG, Jinghui FAN, Juying WU, Qiang YAN. Growth Process and Mechanism of Silver Dendrite in HF/AgNO3/Si System, 2011 IEEE International Conference on Waste Recycling, Ecology and Environment, 136-139.
3.Yang Wenbin，Tang Xiaohong. One-step anodization preparation and photoluminescence property of anodic aluminum oxide with nanopore arrays, Materials Science Forum, 2010, 663: 272-275.
4.Yang Wenbin, Wu Jun, He Fangfang, Tang Xiaohong, Zhou Yuanlin. Preparation and characterization of porous silicon in HF-AgNO3 solution, Materials Science Forum, 2010, 663: 292-295.
5.Yang Wenbin, Wu Jun, Wei Ming, Wang Chao, Xie Changqiong. Preparation and characterization of silicon nanowire arrays for solar cell, Materials Science Forum, 2010, 663: 840-843.
6.Yang Wenbin, Zhang Bingjie, Dai Yatang，Tang Xiaohong，Zhang Lin. Electroless preparation and characterization of magnetic ICF PS targets，Fusion Engineering and Design，2008，83(5-6)：725–728。
7.Yang Wenbin, Luo Shikai, Zhang Bingjie, Huang Zhong, Tang Xiaohong. Electroless preparation and characterization of magnetic Ni–P plating on polyurethane foam，Applied Surface Science，2008，254：7427–7430。
8.Yang Wenbin, Zhou Yuanlin, Tang Xiaohong, Zhang Bingjie, Lei Gang. One-step anodization fabrication and morphology characterization of porous AAO with ideal nanopore arrays, Journal of Experimental Nanoscience, 2007, 2(3): 207-214. （SCI：234SH）
9.Yang Wenbin, Wu Zhi, Lu Zhongyuan, Yang Xuping, Song Lixian. Template-electrodeposition preparation and structural properties of CdS nanowire arrays, Microelectronic Engineering, 2006, 83: 1971-1974.
10.楊文彬, 魏明，王超，胡小平，唐小紅，王洋，付艷艷，周元林. ICF玻璃靶丸化學鍍磁性Ni-Co-Fe-P四元合金塗層，強激光與粒子束, 2010, 22(11): 2599-2602.
11.楊文彬, 付萬發, 熊鷹, 唐小紅, 吳軍, 沈雁, 周元林, 董發勤. 防輻射聚酯布的化學鍍制備與表徵, 功能材料，2010，41（1）：29－31.
12.楊文彬, 周元林, 盧忠遠, 戴亞堂，盧葦, 熱處理溫度對化學鍍磁性ICF玻璃靶丸特性的影響, 強激光與粒子束, 2009, 21(7): 1037-1040.
13.楊文彬, 張冰傑, 羅世凱, 劉際偉. 聚氨酯泡沫表面化學鍍鎳的研究，功能材料，2008，39（5）：805－807.
14楊文彬, 唐小紅, 周元林, 盧忠遠, 謝長瓊. 聚氨酯泡沫表面化學鍍鎳及其熱處理研究，材料熱處理學報，2008，29（5）：177－180.
研究生以第一作者在重要核心期刊發表的SCI/EI收錄文章：
1.沈雁, 楊文彬, 李銀濤，謝長瓊, 李迎軍，程亞非，周元林, 盧忠遠. 紫外光固化陽離子復合膠粘劑的制備與表徵，強激光與粒子束, 2011, 23(4): 991-994. (EI: 20112214017877)
2.吳軍, 楊文彬, 何方方, 周元林, 董發勤. 無電金屬沉積法硅納米線陣列的制備研究, 功能材料，2011，42（2）：369－372.
3.張新超，楊文彬，周元林，雷剛，董發勤，滌綸織物表面化學鍍Ni-Co-Fe-P合金的研究，功能材料，2009，40（10）：1626－1628.
4.雷剛，楊文彬, 魏明, 周元林, 謝長瓊, 何方方. 玻璃纖維表面化學鍍Ni-P合金塗層的研究，功能材料，2008，39（7）：1128－1130.
5.張冰傑，楊文彬, 周元林，盧忠遠，雷剛. 磁性ICF靶丸的化學鍍工藝制備與表徵，強激光與粒子束，2007，19（5）：755－758 .

㈢ 張小民的成就

大學畢業之後，長期從事高功率固體激光技術與工程的研究工作，完成了一系列重要研究項目，主要內容包括：
1987～1989年主持完成了LF-11#高功率固體激光裝置的改進任務。在該項目的研製過程中，重點解決了大口徑高效率二次諧波轉換和短波長激光探針技術。改進後的LF-11#裝置是國內第一次研製成功的實用化倍頻實驗裝置，二倍頻能量轉換效率達到60%，接近當時的國際先進水平。
1990～1994年主持完成了星光-Ⅱ高功率固體激光裝置的研製任務。該裝置是我國九十年代開展激光慣性約束聚變(ICF)和X光激光實驗研究的兩大高功率激光碟機動器之一。在研製過程中，成功地解決了激光脈沖寬度連續調整、大口徑高效率三次諧波轉換、高精度靶定位、窄線寬線聚焦光學系統和雙脈沖產生等一系列關鍵技術，使該裝置成為國內第一台能夠進行三倍頻打靶的高功率激光碟機動器，主要性能達到國外同類裝置的先進水平。
1995年，作為國家高技術863－416主題專家組成員，神光-Ⅲ總體技術研究專題組副組長，具體負責我國新一代ICF高功率固體激光碟機動器總體技術路線與主要關鍵單元技術的研究工作。在一系列關鍵技術研究的基礎上，完成了神光Ⅲ原型裝置的概念設計，提出了採用多程放大等新技術，解決了一系列關鍵技術與工程問題，提高了裝置的性能。
2001年至今，作為我國神光系列裝置項目負責人，全面組織項目實施。目前，已組織完成了神光Ⅲ原型裝置的工程建設，正在組織後續工程的建設。
2002年，作為所級項目負責人，組織完成我國第一台輸出能力為200TW的超短超強激光系統的研製工作，該裝置達到了國際先進水平。
2000年以來，先後在國內外各類期刊發表文章十餘篇。