微電子技術專業英語電子版

A. 為看懂英文版pdf,求一本關於電子電路的英語書，主要學習電子的專業英語！！！

<High speed digital design>中英文的都有

B. 本人學電子的，哪位兄弟能推薦一本好的電子技術專業英語書

電子技術專業英語(第3版)(平裝)
作 者：朱一綸
出版社：電子工業出版社
出版日期：2009-04-01

電子技術專業英語
作者：孫萍 主編

ISBN(書號)：7-111-08308-3

叢書名：21世紀高職高專系列教材
出版日期：2001-05
版次：1-10
開本：B5
字數：235 千字

電子技術專業英語
北京理工大學出版社

建議你用最好選用對接專業選擇相關的書籍，這樣的學起來比較簡單，因為電子技術這個名詞很廣泛，涉及的專業很多。

C. 幫翻譯一下這段微電子學專業英語，謝謝。好的話加分。

Because it depends on some process characteristics,it is difficult to predict accurately the threshold votage of a MOSFET.
因為它取決於一些工藝特點,很難准確預測閾值電壓的場效應晶體管。

In practice,the threshold voltage is measured for a sample device proced in a particular fabrication process.
在實際中,閾值電壓的測量裝置產生一個樣本為在一個特定的製造過程。

The threshold voltage can be measured by comparing the experimental current-voltage characteristics with those predicted by theory.
門檻電壓測量可以通過對比實驗伏安特性與理論所預測的。

We begin above threshold but below saturation,the drain current has the form(公式略）where,from Equation(6.27)(公式略)Equation(7.1)is a model including the effect of the transverse field and longitudinal field(in velocity saturation).
我們開始上面閾值,但低於飽和度、漏極電流具有形式(公式略)到哪裡,從方程(6.27)(公式略)方程(7.1)是一個模型,其中包括效果的橫向場和縱向電場(速度飽和)。

For Vds small enough that the saturation velocity can be neglected and Equation(7.1)can be approximated(公式略)
Vds的小到可以忽略飽和速度方程(7.1),可以將其近似(公式略)

D. 微電子專業英語翻譯

這句沒有徹底搞懂，其他都ok ：The die-to-die via pitch is very small and provides the possibility of arranging digital functional unit blocks across multiple die at a very fine level of granularity

die-to-die後面省略了什麼？die-to-die interconnect ？

via pitch 指的是什麼？via是介詞，不是形容詞吧？
digital functional unit blocks 是不是指的 控制電路而非運算電路？ 比如時鍾系統什麼的？
at a very fine level of granularity 是不是小製程的意思？

3D集成電路封裝技術屬於新興科技，如圖10.1所示，它是幾個互聯晶元在垂直方向上的堆棧/堆疊。晶元間的跨距非常微小，使得晶元之間的數字功能單元能夠集成進來。這樣的好處是縮短了連接線總長，從而降低線路延遲、能耗更低。
3d晶元由於採用了短程、快速的垂直連線，能夠很好的解決此前因為冗長、慢速的全局連線所帶來的線路延遲問題。3d集成和封裝技術發展勢頭很猛，已成為半導體業界的寵兒。幾大晶元公司爭相在其商用領域的產品上採用3d封裝工藝。
單個微架構模塊在電路中的位置能直接影響到晶元的很多性能。第一，晶元布局（各模塊的幾何架構及互聯線路？？）直接影響晶元的運算性能[周期指令量(IPC)]，因為要獲得更高的目標時鍾頻率，就要在不同模塊間架設互聯線路。這會提高也可能降低線路延遲。 第二，散熱和耗散問題和晶元布局息息相關。這是因為單個微架構模塊的溫度並不只是取決於自身的發熱量，也取決於其周圍的模塊單元對其造成的影響。
此外，每個晶體管的耗散功率會隨著溫度的升高而幾何增長。第三，晶元布局影響到匯流排和時鍾分配網路的動態能耗。整合到全局互聯電路中的觸發器的數量也會對時鍾系統的能耗產生影響。盡管如此，性能和發熱量總是沖突的，各個發熱元件的距離越近，性能會提升的同時對溫度控制的要求就更高。不同的應用會有不同的設計局限，因此我們需要一個面向目標的，自動的晶元布局規劃器，允許用戶根據自身的設計需求，找到有效的折衷方案。本節會討論以下相關議題。

E. 要找一本有關於微電子或集成電路的書（英文版或中英文版）。

一、解答：

（美國）耶格（Richard C.Jaeger） （美國）布萊洛克（Travis N.Blalock）的《微電子電路設計》

二、拓展：

1、圖書信息：

出版社: 電子工業出版社; 第1版 (2011年1月1日)

外文書名: Microelectronic Circuit Design

叢書名: 國外電子與通信教材系列

平裝: 1334頁

正文語種: 英語

開本: 16

ISBN: 9787121127120, 7121127121

條形碼: 9787121127120

尺寸: 25.8 x 18.4 x 4.6 cm

重量: 2 Kg

2、作者簡介：

作者：（美國）耶格（Richard C.Jaeger） （美國）布萊洛克（Travis N.Blalock）

3、內容簡介：

第一部分介紹固態電子學與器件，討論了電子學的發展與電路分析方法和微電子器件的工作原理、I-V特性及SPICE模型等。第二部分為數字電路，包括數字電路的基本概念和CMOS電路、存儲電路、ECL與TTL等雙極型邏輯電路以及BiCMOS電路。第三部分為模擬電路，以理想運算放大器和SPICE模擬為基礎介紹了不同結構運算放大器的相關特性、小信號模型、具體分析方法和集成設計技術，最後討論了放大器的頻率響應、反饋和振盪器等問題。通過學習《微電子電路設計(第4版)(英文版)》可以了解現代微電子電路設計，包括模擬與數字，分立與集成，了解內部結構也有利於系統設計中對集成電路的適當選擇。讀者對象：《微電子電路設計(第4版)(英文版)》適用作電子與信息類各專業本科生基礎課的雙語教材或參考書，也可作為相關領域工程技術人員的參考資料。

4、目錄

Preface xx

PART ONE

SOLID STATE ELECTRONIC AND DEVICES 1

CHAPTER 1 INTRODUCTION TO ELECTRONICS 3

1.1 A Brief History of Electronics:

From Vacuum Tubes to Giga-Scale

Integration 5

1.2 Classification of Electronic Signals 8

1.2.1 Digital Signals 9

1.2.2 Analog Signals 9

1.2.3 A/D and D/A Converters-Bridging the Analog and Digital Domains 10

1.3 Notational Conventions 12

1.4 Problem-Solving Approach 13

1.5 Important Concepts from Circuit Theory 15

1.5.1 Voltage and Current Division 15

1.5.2 Th′

evenin and Norton Circuit Representations 16

1.6 Frequency Spectrum of Electronic

Signals 21

1.7 Amplifiers 22

1.7.1 Ideal Operational Amplifiers 23

1.7.2 Amplifier Frequency Response 25

1.8 Element Variations in Circuit Design 26

1.8.1 Mathematical Modeling of Tolerances 26

1.8.2 Worst-Case Analysis 27

1.8.3 Monte Carlo Analysis 29

1.8.4 Temperature Coefficients 32

1.9 Numeric Precision 34

Summary 34

Key Terms 35

References 36

Additional Reading 36

Problems 37

CHAPTER 2 SOLID-STATE ELECTRONICS 42

2.1 Solid-State Electronic Materials 44

2.2 Covalent Bond Model 45

2.3 Drift Currents and Mobility in

Semiconctors 48

2.3.1 Drift Currents 48

2.3.2 Mobility 49

2.3.3 Velocity Saturation 49

2.4 Resistivity of Intrinsic Silicon 50

2.5 Impurities in Semiconctors 51

2.5.1 Donor Impurities in Silicon 52

2.5.2 Acceptor Impurities in Silicon 52

2.6 Electron and Hole Concentrations in Doped

Semiconctors 52

2.6.1 n-Type Material （ND >NA ） 53

2.6.2 p-Type Material （NA >ND ） 54

2.7 Mobility and Resistivity in Doped

Semiconctors 55

2.8 Diffusion Currents 59

2.9 Total Current 60

2.10 Energy Band Model 61

2.10.1 Electron-Hole Pair Generation in an Intrinsic Semiconctor 61

2.10.2 Energy Band Model for a Doped Semiconctor 62

2.10.3 Compensated Semiconctors 62

2.11 Overview of Integrated Circuit

……

Fabrication 64

Summary 67

Key Terms 68

Reference 69

Additional Reading 69

Important Equations 69

Problems 70

F. 求微電子專業英語高手!

我只會翻譯,可以加你不?

G. 急！微電子技術專業英語翻譯！

此翻譯請樓主審閱是否專業。
since most of the recombination current occurs near where R = Rmax,the barrier for electrons and holes for recombination current is (Vbi-Va)/2. This is half the barrier for diffusion current of （Vbi - Va).
由於復合電流大多發生在靠近R＝Rmax的地方，所以電子和空穴對復合電流的屏障就是(Vbi-Va)/2. 這是擴散電流(Vbi-Va)的一半。.
Let us consider recombination and generation under reverse bias.The energy band diagram is shown in Fig.3.18.讓我們來考慮一下在反偏壓下的復合和發生。能帶圖示於圖3.18.We have discussed that under reverse bias the transition region widens with the significant opportunities for both generation and recombination.我們已經討論了，在反偏壓下，過渡區隨著發生和復合的明顯機會而展寬。Under reverse bias n and p are both small in most of the transition region,the recombination can be ignored,since there are few electrons to recombine and few holes with which to recombine. 在反偏壓下，n和p在大多數過渡區都很小，復合就可以忽略，因為幾乎不存在電子來復合，也幾乎沒有空穴與它們來復合。

H. 《電子技術專業英語教程》

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像這樣的書一般的書店的話是不會賣的，畢竟買的人少！！

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要給我分的~~~

I. 誰知道邱成軍參與主編的微電子技術專業英語最後一章的翻譯哪有

這個真不知道