edl投稿

Ⅰ 麻煩幫忙翻譯一個文章，謝謝！！

IEEE電子器件快報，音量。 EDL的- 7，沒有。四，1986年4月259
VIN的測試tructure略帶測量電阻率的具體聯系
抽象的垂直開爾文測試結構，可用於
衡量一個真正的金屬化體系的具體接觸電阻率，是
提出和研究。對於此測試結構，驅動電流流
「垂直」，從而片電阻和電流擁擠效應
消除，真正的具體接觸電阻率測量
成為可能。實驗表明，該工程的測試結構給出了一個
更多的線性關系電阻與接觸面積比
傳統的六終端測試結構。
一，引言
PECIFIC接觸電阻率的個人電腦是最重要的一
參數學習的界面性能
金屬化體系。許多測試結構[1] - [4]已
提出來衡量其價值。但是，由於一些固有
如薄膜電阻的寄生因素的擴散
層和橫向（橫向和目前crowdings
垂直），「真正」的PC值是非常困難的，如果不
不可能的，要測量[5] - [7]。這主要的原因
困難來自於一個事實，即對所有這些建議的測試
結構中，電流流「橫向」在酒吧彌漫
而「垂直」接觸電阻要
決定。
在信中，一個「垂直」開爾文測試結構來衡量
「真實」，提出了具體的接觸電阻。對於這
測試結構，驅動電流流「縱向」從
對金屬基體接觸墊接觸。這
消除了電流，在擁擠的影響固有
結構水平的測試類型，並使得決心
在「真」的具體接觸電阻可能。這
測試結構可以集成在6終端測試
結構[4]比較測量結果。
11。測試結構
斷面ofthe測試結構如圖所示。 1（1）
隨著它的俯視圖。 1（b）項。是的驅動電流I
從墊一對基板和被迫的電壓V
2和3之間墊感覺到沿植入欄。該
垂直電流限制是由一個孤立的pn結。
對於這種結構，可以看出，目前流動
只有通過縱向聯絡窗口：因此
在接觸區域的電流分布均勻提供
該接觸區是冶金制服。的接觸
投稿日期1985年9月18日，經修訂的1985年12月2日